Name: FDS3890
Brand: onsemi
SKU: FDS3890TR-ND
Price: 2.9524 EUR
Availability: InStock

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FDS3890
Codice DigiKey	FDS3890TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS3890CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS3890DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS3890
Descrizione	MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 80V 4,7A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 44mohm a 4,7A, 10V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1180pF a 40V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 900mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 80V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7A	Codice componente base FDS38