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FDS3512 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDS3512TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDS3512 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 4 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 634 pF @ 40 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 4A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
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