Name: FDS2672
Brand: onsemi
SKU: FDS2672TR-ND
Price: 3.0744 EUR
Availability: InStock

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FDS2672
Codice DigiKey	FDS2672TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS2672CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS2672DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS2672
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 3,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Serie UltraFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2535 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDS26
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 3,9A, 10V