Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

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FDN5632N-F085
Codice DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN5632N-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1,7 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN5632N-F085 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 475 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 1,1W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 82mohm a 1.7A, 10V	Codice componente base FDN5632
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA