Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDN5618P
Codice DigiKey	FDN5618PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN5618PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN5618P
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,25 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN5618P Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.8 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,25 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDN5618
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 1,25A, 10V