Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 0.7442 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDN352AP
Codice DigiKey	FDN352APTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN352APCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN352AP
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN352AP Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 1,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDN352

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 33 473

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)