Name: FDN352AP
Brand: onsemi
SKU: FDN352APTR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

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FDN352AP
Codice DigiKey	FDN352APTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN352APCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN352APDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN352AP
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN352AP Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 150 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,3 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDN352
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 1,3A, 10V