Name: FDMS86263P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86263PTR-ND
Price: 4.514 EUR
Availability: InStock

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FDMS86263P
Codice DigiKey	FDMS86263PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86263PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86263PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86263P
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 4,4 A (Ta), 22 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86263P Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3905 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,4 A (Ta), 22 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86263
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 4,4A, 10V