Name: FDMS86180
Brand: onsemi
SKU: FDMS86180TR-ND
Price: 7.1736 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDMS86180
Codice DigiKey	FDMS86180TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86180CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86180DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86180
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 151 A (Tc) 138W (Tc) A montaggio superficiale Power56
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 370µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 6 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6215 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 138W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore Power56
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 151 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 67A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RBE029N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	4 290	559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND	€ 13,44000	Simile
SQJQ480E-T1_GE3	Vishay Siliconix	4 283	SQJQ480E-T1_GE3CT-ND	€ 18,64000	Simile