


FDMS86180 | |
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Codice DigiKey | FDMS86180TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86180CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86180DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS86180 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 |
Tempi di consegna standard del produttore | 44 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 151 A (Tc) 138W (Tc) A montaggio superficiale Power56 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 370µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 6 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6215 pF @ 50 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 138W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore Power56 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 67A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| RBE029N10R1SZN6#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 4 290 | 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND | € 2,63000 | Simile |
| SQJQ480E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 4 283 | SQJQ480E-T1_GE3CT-ND | € 3,65000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,88000 | € 5,88 |
| 10 | € 3,95600 | € 39,56 |
| 100 | € 2,86430 | € 286,43 |
| 500 | € 2,68976 | € 1 344,88 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 2,19752 | € 6 592,56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,88000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,17360 |


