Name: FDMS86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS86102LZTR-ND
Price: 3.2208 EUR
Availability: InStock

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FDMS86102LZ
Codice DigiKey	FDMS86102LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86102LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86102LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7 A (Ta), 22 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86102LZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1305 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta), 22 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS86102
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 7A, 10V