Name: FDMS8018
Brand: onsemi
SKU: FDMS8018TR-ND
Price: 2.1594 EUR
Availability: InStock

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FDMS8018
Codice DigiKey	FDMS8018TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS8018CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS8018DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS8018
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Ta), 120 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS8018 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 61 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5235 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Ta), 120 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS80
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 30A, 10V