Name: FDMS8018
Brand: onsemi
SKU: FDMS8018TR-ND
Price: 2.0496 EUR
Availability: InStock

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FDMS8018
Codice DigiKey	FDMS8018TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS8018CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS8018DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS8018
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Ta), 120 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS8018 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Ta), 120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,8mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5235 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS80