FDMS7580 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMS7580
Codice DigiKey	FDMS7580TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS7580CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS7580
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 15 A (Ta), 29 A (Tc) 2,5W (Ta), 27W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1190 pF @ 13 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 27W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Ta), 29 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS75
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 15A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC080N03MSGATMA1	Infineon Technologies	719 667	BSC080N03MSGATMA1CT-ND	€ 1,04000	Simile
TSM080NB03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4 894	1801-TSM080NB03CRRLGCT-ND	€ 1,05000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,86000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,26920

FDMS7580