Name: FDMS3660S
Brand: onsemi
SKU: FDMS3660SFSTR-ND
Price: 3.1476 EUR
Availability: InStock

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FDMS3660S
Codice DigiKey	FDMS3660SFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS3660SFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS3660SFSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS3660S
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 30A, 60A 1W A montaggio superficiale Power56
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 13A, 10V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1765pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Asimmetrico a 2 canali N (duale)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore Power56
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30A, 60A	Codice componente base FDMS3660

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In magazzino: 7 719

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,71902	€ 2 157,06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,14760

FDMS3660S