Canale N 100 V 17 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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Canale N 100 V 17 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
8-PQFN

FDMS10C4D2N

Codice DigiKey
FDMS10C4D2NOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDMS10C4D2NOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FDMS10C4D2NOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDMS10C4D2N
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore
45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 17 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 44A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
FDMS10
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In magazzino: 725
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,17000€ 3,17
10€ 2,07300€ 20,73
100€ 1,45060€ 145,06
500€ 1,27712€ 638,56
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 1,04340€ 3 130,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,17000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,86740