Name: FDME820NZT
Brand: onsemi
SKU: FDME820NZTTR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

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FDME820NZT
Codice DigiKey	FDME820NZTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDME820NZTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDME820NZTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDME820NZT
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 9 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale MicroFet spessore 1,6x1,6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 865 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore MicroFet spessore 1,6x1,6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-PowerUFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base FDME820
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 9A, 4,5V