Name: FDMC86262P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86262PTR-ND
Price: 2.0984 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDMC86262P
Codice DigiKey	FDMC86262PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC86262PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC86262PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC86262P
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 2 A (Ta), 8,4 A (Tc) 2,3W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 885 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 40W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-MLP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta), 8,4 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMC86262
RDSon (max) a Id, Vgs 307mohm a 2A, 10V