Name: FDMC86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102LZTR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

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FDMC86102LZ
Codice DigiKey	FDMC86102LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC86102LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC86102LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMC86102LZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7 A (Ta), 18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	24mohm a 6,5 A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1290 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-MLP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Codice componente base	FDMC86102