Name: FDMC8200S
Brand: onsemi
SKU: FDMC8200STR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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FDMC8200S
Codice DigiKey	FDMC8200STR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC8200SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC8200SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC8200S
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6A, 8,5A 700mW, 1W A montaggio superficiale 8-Power33 (3x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 6A, 10V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 660pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 700mW, 1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A, 8,5A	Codice componente base FDMC82

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In magazzino: 3 149

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,29744	€ 892,32
6 000	€ 0,27575	€ 1 654,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,50060

FDMC8200S