Name: FDMC6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC6675BZTR-ND
Price: 1.8422 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDMC6675BZ
Codice DigiKey	FDMC6675BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC6675BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC6675BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9,5 A (Ta), 20 A (Tc) 2,3W (Ta), 36W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,5 A (Ta), 20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	14,4mohm a 9,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2865 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-MLP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Codice componente base	FDMC6675