FDMA510PZ onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDMA510PZ è obsoleto e non è più in produzione.

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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDMA510PZ
Codice DigiKey	FDMA510PZTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMA510PZ
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 7,8 A (Ta) 2,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-MicroFET (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMA510PZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 7,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1480 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-MicroFET (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	FDMA510