Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 2.0252 EUR
Availability: InStock

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FDD86113LZ
Codice DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD86113LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD86113LZ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 285 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 29W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD86113
RDSon (max) a Id, Vgs 104mohm a 4,2A, 10V