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FDD7N60NZTM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDD7N60NZTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDD7N60NZTM |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5,5 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDD7N60NZTM Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 730 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,25ohm a 2,75 A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCD600N65S3R0 | onsemi | 4 979 | 488-FCD600N65S3R0CT-ND | € 2,33000 | Consigliato dal produttore |
| STD6N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13939-1-ND | € 1,79000 | Simile |
| STD6N62K3 | STMicroelectronics | 36 | 497-STD6N62K3CT-ND | € 2,50000 | Simile |
| STD7N60M2 | STMicroelectronics | 6 829 | 497-13941-1-ND | € 1,69000 | Simile |
| STD7N80K5 | STMicroelectronics | 10 947 | 497-13642-1-ND | € 2,42000 | Simile |



