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Canale N 500 V 3 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 500 V 3 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

FDD5N50UTF_WS

Codice DigiKey
FDD5N50UTF_WS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDD5N50UTF_WS
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 3 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Attributi del prodotto
Tipo
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
FRFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
650 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
FDD5
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