Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.5982 EUR
Availability: InStock

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FDD306P
Codice DigiKey	FDD306PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD306PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD306P
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 6,7 A (Ta) 52W (Ta) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD306P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 6,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1290 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	52W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD306