Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 0.8174 EUR
Availability: InStock

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FDC655BN
Codice DigiKey	FDC655BNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC655BNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC655BN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,3 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC655BN Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,3 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDC655
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 6,3A, 10V