Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

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FDC655BN
Codice DigiKey	FDC655BNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC655BNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC655BN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,3 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC655BN Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 6,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	570 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	FDC655

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)