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Canale P 20 V 4 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
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Canale P 20 V 4 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6

FDC642P-F085

Codice DigiKey
FDC642P-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDC642P-F085
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDC642P-F085 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
65mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
640 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SuperSOT™-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
FDC642
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