Name: SI3443DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3443DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5368 EUR
Availability: InStock

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SI3443DDV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3443DDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3443DDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3443DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3443DDV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta), 5.3 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI3443DDV-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 970 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta), 5.3 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base SI3443
RDSon (max) a Id, Vgs 47mohm a 4,5A, 4,5V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,53680

SI3443DDV-T1-GE3