Name: FDC638P
Brand: onsemi
SKU: FDC638PTR-ND
Price: 1.1712 EUR
Availability: InStock

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FDC638P
Codice DigiKey	FDC638PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC638PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC638PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC638P
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,5 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC638P Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1160 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base FDC638
RDSon (max) a Id, Vgs 48mohm a 4,5A, 4,5V