Name: FDC6318P
Brand: onsemi
SKU: FDC6318PTR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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FDC6318P
Codice DigiKey	FDC6318PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC6318PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC6318PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC6318P
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 2,5A 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC6318P Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 2,5A, 4,5V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 455pF a 6V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 700mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione drain/source (Vdss) 12V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5A	Codice componente base FDC6318

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In magazzino: 10 722

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,24782	€ 743,46
6 000	€ 0,22903	€ 1 374,18

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,28100

FDC6318P