Name: FDC606P
Brand: onsemi
SKU: FDC606PTR-ND
Price: 1.2566 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDC606P
Codice DigiKey	FDC606PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC606PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC606PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC606P
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 6 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1699 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base FDC606
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 6A, 4,5V