Name: FDC5612
Brand: onsemi
SKU: FDC5612TR-ND
Price: 1.098 EUR
Availability: OutOfStock

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FDC5612
Codice DigiKey	FDC5612TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC5612CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC5612DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC5612
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 4,3 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,3 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDC5612
RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 4,3A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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