Name: FDB52N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDB52N20TMTR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

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FDB52N20TM
Codice DigiKey	FDB52N20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB52N20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB52N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB52N20TM
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 52 A (Tc) 357W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 52 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB52N20
RDSon (max) a Id, Vgs 49mohm a 26A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PSMN057-200B,118	Nexperia USA Inc.	1 864	1727-4774-1-ND	€ 3,26000	Simile
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