Name: FDB52N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDB52N20TMTR-ND
Price: 3.5136 EUR
Availability: InStock

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FDB52N20TM
Codice DigiKey	FDB52N20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB52N20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB52N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB52N20TM
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 52 A (Tc) 357W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	UniFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	52 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	49mohm a 26A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2900 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB52N20