Name: FDB2710
Brand: onsemi
SKU: FDB2710TR-ND
Price: 6.527 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 2,90000

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FDB2710
Codice DigiKey	FDB2710TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB2710CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB2710DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB2710
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 50 A (Tc) 260W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 101 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7280 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 260W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB271
RDSon (max) a Id, Vgs 42,5mohm a 25A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF540NSTRLPBF	Infineon Technologies	17 326	IRF540NSTRLPBFCT-ND	€ 2,90000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,92758	€ 1 542,06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,52700

FDB2710