Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 3.0744 EUR
Availability: InStock

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FDB13AN06A0
Codice DigiKey	FDB13AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB13AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB13AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 10,9 A (Ta), 62 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,9 A (Ta), 62 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13,5mohm a 62A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1350 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	115W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB13AN06

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,52000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,07440

FDB13AN06A0