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FDB088N08 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FDB088N08 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB088N08TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB088N08CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB088N08 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 120 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDB088N08 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6595 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 75 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 75A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BUK9609-75A,118CT-ND | € 3,92000 | Simile |
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | 3 | IRF1018ESTRLPBFCT-ND | € 2,36000 | Simile |
| PHB29N08T,118 | Nexperia USA Inc. | 2 036 | 1727-PHB29N08T,118CT-ND | € 1,64000 | Simile |
| PSMN005-75B,118 | Nexperia USA Inc. | 73 | 1727-PSMN005-75B,118CT-ND | € 3,52000 | Simile |
| PSMN012-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | 4 944 | 1727-7206-1-ND | € 2,20000 | Simile |
Obsoleto
