



FDB082N15A | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB082N15AFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB082N15AFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB082N15AFSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDB082N15A |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 117 A (Tc) 294W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDB082N15A Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6040 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 294W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,2mohm a 75 A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB072N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 5 373 | IPB072N15N3GATMA1CT-ND | € 3,58000 | Simile |
| IPB108N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 503 | IPB108N15N3GATMA1CT-ND | € 3,72000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,93000 | € 6,93 |
| 10 | € 4,69800 | € 46,98 |
| 100 | € 3,43670 | € 343,67 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 2,73105 | € 2 184,84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 8,45460 |

