Name: FDB050AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB050AN06A0TR-ND
Price: 3.6966 EUR
Availability: InStock

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FDB050AN06A0
Codice DigiKey	FDB050AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB050AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB050AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB050AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 18 A (Ta), 80 A (Tc) 245W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB050AN06A0 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 245W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB050
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 80A, 10V

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Sostituti (11)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2SK3812-ZP-E1-AZ	Renesas Electronics Corporation	1 305	559-2SK3812-ZP-E1-AZCT-ND	€ 6,27000	Simile
BUK9675-55A,118	Nexperia USA Inc.	6 569	1727-7200-1-ND	€ 1,67000	Simile
IPB100N06S205ATMA4	Infineon Technologies	44 627	IPB100N06S205ATMA4CT-ND	€ 3,41000	Simile
IRFS3306TRLPBF	Infineon Technologies	7 718	IRFS3306TRLPBFCT-ND	€ 3,72000	Simile
IXFA230N075T2-7	IXYS	288	IXFA230N075T2-7-ND	€ 8,21000	Simile