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FDB029N06 è obsoleto e non è più in produzione.
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FDB029N06 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB029N06TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB029N06 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 120 A (Tc) 231W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 151 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9815 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 75A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTBGS2D5N06C | onsemi | 796 | 488-NTBGS2D5N06CCT-ND | € 5,71000 | Consigliato dal produttore |
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