Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 11.3094 EUR
Availability: InStock

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FDB0260N1007L
Codice DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB0260N1007LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB0260N1007L
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,6mohm a 27A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	8545 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	FDB0260

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 9,27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 11,30940

FDB0260N1007L