Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 11.9926 EUR
Availability: InStock

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FDB0260N1007L
Codice DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB0260N1007LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB0260N1007L
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8545 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB0260
RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 27A, 10V