FCP9N60N-F102 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FCP9N60N-F102 è obsoleto e non è più in produzione.

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FCP9N60N-F102
Codice DigiKey	FCP9N60N-F102-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCP9N60N-F102
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 9 A (Tc) 83,3W (Tc) Foro passante TO-220F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCP9N60N-F102 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	385mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1240 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220F
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	FCP9N60