Name: FCMT199N60
Brand: onsemi
SKU: FCMT199N60TR-ND
Price: 7.0638 EUR
Availability: InStock

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FCMT199N60
Codice DigiKey	FCMT199N60TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCMT199N60CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCMT199N60DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCMT199N60
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale Power88
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie SuperFET® II	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2950 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore Power88
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,2 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCMT199
RDSon (max) a Id, Vgs 199mohm a 10A, 10V