Name: FCMT180N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT180N65S3OSTR-ND
Price: 6.71 EUR
Availability: InStock

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FCMT180N65S3
Codice DigiKey	FCMT180N65S3OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCMT180N65S3OSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCMT180N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCMT180N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 17 A (Tc) 139W (Tc) A montaggio superficiale Power88
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,8mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore Power88
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCMT180
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 8,5A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPL60R185P7AUMA1	Infineon Technologies	2 373	IPL60R185P7AUMA1CT-ND	€ 2,61000	Simile

In magazzino: 1 535

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 2,00842	€ 6 025,26

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,71000

FCMT180N65S3