Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 6.9906 EUR
Availability: InStock

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FCMT080N65S3
Codice DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCMT080N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 38 A (Tc) 260W (Tc) A montaggio superficiale 4-TDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	SuperFET® III
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	38 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	80mohm a 19A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 880µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2765 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	260W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	4-TDFN (8x8)
Contenitore/involucro	4-PowerTSFN
Codice componente base	FCMT080