


FCB199N65S3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-FCB199N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCB199N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FCB199N65S3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 14 A (Tc) 98W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCB199N65S3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 199mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 1,4mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1225 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 98W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,16000 | € 4,16 |
| 10 | € 2,76000 | € 27,60 |
| 100 | € 1,96150 | € 196,15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 1,54524 | € 1 236,19 |
| 1 600 | € 1,50554 | € 2 408,86 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,16000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,07520 |

