EMZ1DXV6T1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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EMZ1DXV6T1G
Codice DigiKey	EMZ1DXV6T1GOS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	EMZ1DXV6T1G
Descrizione	TRANS NPN/PNP 60V 100MA SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMZ1DXV6T1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	60V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	400mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	120 a 1mA, 6V
Potenza - Max	500mW
Frequenza - Transizione	180MHz, 140MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	SOT-563
Codice componente base	EMZ1