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EMZ1DXV6T1G | |
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Codice DigiKey | EMZ1DXV6T1GOS-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EMZ1DXV6T1G |
Descrizione | TRANS NPN/PNP 60V 100MA SOT-563 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | EMZ1DXV6T1G Modelli |
Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 1mA, 6V |
Produttore onsemi | Potenza - Max 500mW |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 180MHz, 140MHz |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA | Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60V | Contenitore del fornitore SOT-563 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 400mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 500 nA (ICBO) |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BC847BVN,115 | Nexperia USA Inc. | 2 380 | 1727-4852-1-ND | € 0,36000 | Simile |


