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Nexperia USA Inc.
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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
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EMZ1DXV6T1G

Codice DigiKey
EMZ1DXV6T1GOS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
EMZ1DXV6T1G
Descrizione
TRANS NPN/PNP 60V 100MA SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
EMZ1DXV6T1G Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
120 a 1mA, 6V
Produttore
onsemi
Potenza - Max
500mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
180MHz, 140MHz
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
60V
Contenitore del fornitore
SOT-563
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
400mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
500 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
BC847BVN,115Nexperia USA Inc.2 3801727-4852-1-ND€ 0,36000Simile
Obsoleto
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