EMT1DXV6T1 onsemi | Array di transistor bipolari

EMT1DXV6T1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Diretto

onsemi

In magazzino: 4 007

Prezzo unitario : € 0,42000

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 37

Prezzo unitario : € 0,26000

Simile

Diodes Incorporated

In magazzino: 970

Prezzo unitario : € 0,54000

Simile

Diodes Incorporated

In magazzino: 5 291

Prezzo unitario : € 0,33000

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EMT1DXV6T1
Codice DigiKey	EMT1DXV6T1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	EMT1DXV6T1
Descrizione	TRANS 2PNP 60V 100MA SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 PNP (doppio) 60V 100mA 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMT1DXV6T1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 1mA, 6V
Produttore onsemi	Potenza - Max 500mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Frequenza - Transizione 140MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor 2 PNP (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60V	Contenitore del fornitore SOT-563
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 5mA, 50mA	Codice componente base EMT1
Corrente - Interruzione collettore (max) 500 nA (ICBO)

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
EMT1DXV6T1G	onsemi	4 007	EMT1DXV6T1GOSCT-ND	€ 0,42000	Diretto
BC857RAZ	Nexperia USA Inc.	37	1727-7387-1-ND	€ 0,26000	Simile
BCM857BV-7	Diodes Incorporated	970	BCM857BV-7DICT-ND	€ 0,54000	Simile
MMDT2907V-7	Diodes Incorporated	5 291	MMDT2907VDICT-ND	€ 0,33000	Simile