EMD4DXV6T5G è obsoleto e non è più in produzione.
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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563
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EMD4DXV6T5G

Codice DigiKey
EMD4DXV6T5G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
EMD4DXV6T5G
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EMD4DXV6T5G Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 5mA, 10V
Produttore
onsemi
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
250mV a 300µA, 10mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
500mW
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore del fornitore
SOT-563
Resistore - Base (R1)
47kohm, 10kohm
Codice componente base
Resistore - Base emettitore (R2)
47kohm
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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