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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
EGP10J | |
|---|---|
Codice DigiKey | EGP10JTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EGP10J |
Descrizione | DIODE STANDARD 600V 1A DO41 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 1A Foro passante DO-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | EGP10J Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | ||
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max | 600 V | |
Corrente - Media rettificata (Io) | 1A | |
Tensione - Diretta (Vf) max a If | 1.7 V @ 1 A | |
Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | |
Tempo di recupero inverso (Trr) | 75 ns | |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5 µA @ 600 V | |
Capacità a Vr, F | - | |
Tipo di montaggio | ||
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | DO-41 | |
Temp. di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 150°C | |
Codice componente base |
Obsoleto
Italia