CPH3350-TL-W onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

CPH3350-TL-W è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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CPH3350-TL-W
Codice DigiKey	CPH3350-TL-WOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	CPH3350-TL-W
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 3-CPH
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CPH3350-TL-W Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	83mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	375 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	3-CPH
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	CPH3350